Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (2), P. 187-194 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.02.187
Динамічна функція екранування та плазмони у широких квантових ямах HgTe при високих температурах
Є.О. Мележик1, Ф.Ф. Сизов1, М.М. Михайлов2, Ж.В. Гуменюк-Сичевська1
2Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук, Новосибирск 630090, Россия
Анотація. У даній роботі наведено результати чисельного моделювання динамічної функції екранування двовимірного електронного газу в широких квантових ямах (КЯ) HgTe. Розрахунки проводилися за методом наближення випадкової фази та базувалися на рівнянні Ліндхарда. При розрахунках була врахована непараболічність енергетичної дисперсії локалізованих носіїв в КЯ, розрахованої за 8-зонним методом k.p. У літературі наведено дані стосовно того, що транспортні властивості КЯ HgTe можуть бути пояснені графеноподібним екрануванням електронного газу. У даній роботі проведено порівняння розрахованої функції екранування в КЯ HgTe з інвертованою зонною структурою, з відповідною функцією екранування для моношарового графену. Також вивчені залежності отриманої функції екранування в КЯ HgTe від температури, хвильового вектора розсіяння та частоти падаючого випромінювання. Для температури 77 K у довгохвильовому наближенні розраховано плазмові частоти електронного газу.
Ключові слова:динамічна функція екранування, двовимірний електронний газ, HgTe, квантові ями, рівняння Ліндхарда, метод наближення випадкової фази.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.