Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (2), P. 150-155 (2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.02.150
Електронні та оптичні властивості β-HgS
J.O. Akinlami* and F.C. Onyeanu
Анотація. Досліджено електронні та оптичні властивості β-HgS за допомогою теорії функціональної густини. Обчислено, що параметр решітки дорівнює 6,043 Å, об’ємний модуль – 57,17 ГПа, рівноважний об’єм – 55,25 Å3. Зі смугової структури було отримано, що пряма заборонена зона становить 0,00002 еВ. Це значення добре узгоджується з іншими розрахунками. Залежність діелектричної константи від енергії фотона виявила кілька окремих піків. Уявна частина має пік 34,99 при 0,47 еВ, а дійсна частина має пік 29,65 при 0,40 еВ. Значення, отримані для електронних та оптичних властивостей β-HgS, по суті важливі для застосувань цього матеріалу в оптоелектроніці.
Ключові слова: сульфід ртуті, електронні властивості, оптичні властивості, теорія функціональної щільності, плоскохвильовий псевдопотенціальний метод.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.