Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (2), P. 156-164 (2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.02.156
Урахування поверхневого внеску термодинамічних властивостей плівок селеніду свинцю
Л.І. Никируй1, Б.П. Найдич1, О.М. Возняк1, Т.О. Паращук2, Р.В. Ільницький1
2The Institute of Advanced Manufacturing Technology,
Wrocławska 37, Krakow 30-011, Poland
Е-mail: taras.parashchuk@ios.krakow.pl,
Анотація. На основі теорії функціонала густини виконано комп’ютерну симуляцію впливу поверхні на термодинамічні параметри селеніду свинцю (PbSe). На основі термодинамічних підходів обгрунтовано вибір моделі у площині PbSe [200], яка вказує на домінування енергії поверхневих станів, коли мінімізація енергії інтерфейсу і деформації є менш пріоритетною у загальній зміні вільної енергії. У рамках методу теорії функціонала густини (DFT) та з використанням гібридного функціонала B3LYP обчислено термодинамічні параметри для поверхні кристалів та їх температурні залежності: енергію ∆E, ентальпію ∆H, вільну енергію Гіббса ∆G, теплоємності при сталих тиску CP та об’ємі CV, ентропію ∆S. Отримано аналітичні вирази температурних залежностей представлених термодинамічних параметрів, які апроксимуються квантово-хімічними розрахунковими даними. Аналіз температурних залежностей теплоємності показав добре узгодження з експериментом та відповідність закону Дюлонга–Пті.
Ключові слова: теорія функціонала густини, кластерні моделі, квантово-хімічні розрахунки, термодинамічні параметри, IV-VI напівпровідники.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.