Анотація. У цій роботі розглядається електростатична теорія радіального p-i-n переходу типу ядро-оболонки в нанодроті. Виконані розрахунки показують, що на відміну від планарного p-i-n діода вбудоване електричне поле радіального p-i-n діода виявляється неоднорідним. Це поле максимальне в області i-шару, що примикає до ядра. При віддаленні i-шару від центра нанодроту ступінь неоднорідності поля послаблюється, а обидва крайові значення поля в i-шарі досягають в кінцевому рахунку величини, що має місце в аналогічному планарному p-i-n діоді. Ця величина може бути як вища, так і суттєво нижча, ніж максимальне поле в радіальному p-i-n діоді (в залежності від характеру легування). Одночасно ємність радіального p-i-n діода може як збільшуватись, так і зменшуватись, прямуючи в той же час до слабкої залежності від напруги, властивої для планарного p-i-n діода.

Ключові слова: наноструктури, нанодріт типу ядро-оболонки, радіальний p-i-n перехід, електроємність.

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 22 (2)