Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (2), P. 231-236(2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.02.231


Люмінесцентний аналіз якості нанокристалів CdS залежно від технологічних параметрів
А.Б. Богословська, Д.О. Гринько, Є.Г. Борщагівський, О.І. Гудименко

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, 41, проспект Науки, 03028 Київ, Україна, E-mail: bogoslovskaya@ukr.net

Анотація. Робота присвячена дослідженню люмінесценції нановіскерів CdS, вирощених за допомогою різних технологічних підходів із змінними параметрами, що дозволяє контролювати розміри та морфологію вирощених нанокристалів. Дослідження люмінесценції використовувалися для експрес-аналізу впливу технологічних параметрів на якість вирощених кристалів шляхом порівняння власних та дефектних люмінесцентних смуг.

Ключові слова: CdS, віскери, фотолюмінесценція, морфологія кристалів.

Текст статті (PDF)


Назад до 22 (2)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.