Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (2), P. 146-154(2020).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo23.02.146
Діелектричні властивості нематичного рідкого кристала з домішками супрамолекулярних комплексів Ni–TMTAA-TCNQ
1Інститут фізики, НАН України
46, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
Анотація. У діапазоні температур 288…343 K та частот 10–1…106 Гц досліджено діелектричні властивості планарно та гомеотропно орієнтованого нематичного рідкого кристала 6CHBT з домішкою молекул Ni–TMTAA–TCNQ з концентрацією 0…3 мас.%. Показано, що при самих низьких частотах дисперсія компонент комплексної діелектричної проникності у випадку планарно орієнтованого рідкого кристала зумовлена коливаннями під дією електричного поля диполів молекул у межах кутів, які відповідають флуктуаціям параметра порядку. Оцінено величини часів релаксації і показано, що зі збільшенням концентрації домішки величина часу релаксації зменшується. Проаналізовано температурні залежності величин, обернених до часу релаксації. Показано, що для середньої ділянки частот отримані діелектричні спектри характеризують об’ємні властивості зразків, зокрема величину електропровідності. Знайдено, що при збільшенні концентрації молекул енергія активації для температурної залежності електропровідності збільшується. Така залежність для всього інтервалу досліджуваних температур корелює з температурною залежністю величин, обернених до часу релаксації. Показано, що провідність зразків як при гомеотропній, так і планарній орієнтації молекул до 1 мас.% змінюється за степеневим законом від концентрації молекул. Оцінено величину показника степеня для концентраційної залежності електропровідності і показано, що він є однаковим для різних орієнтацій молекул.
Ключові слова: діелектричні властивості, нематичні рідкі кристали, планарна та гомеотропна орієнтація молекул, час релаксації, енергія активації, молекулярні комплекси Ni–TMTAA–TCNQ.
В.Е. Вовк1, О.В. Ковальчук1,2,3, P. Kopcansky4, Т.М. Ковальчук5
2Київський національний університет технологій та дизайну,
2, вул. Немировича-Данченка, 01011 Київ, Україна
3Національний технічний університет України
«Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»
37, проспект Перемоги, 03056 Київ, Україна
4Institute of Experimental Physics, Slovak Academy of Sciences
47, Watsonova Str., 04001 Košice, Slovakia
5Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, НАН України
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
E-mail: akoval@knutd.com.ua
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.