Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (2), P. 175-179(2020).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo23.02.175
Вплив надвисокочастотного випромінювання на релаксаційні процеси в карбіді кремнію
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
E-mail: olga@isp.kiev.ua
Анотація. Методами спектроскопії оптичного поглинання і дифрактометрії високої роздільної здатності досліджено вплив НВЧ опромінювання на характеристики кристалічного SiC. На підставі аналізу даних рентгенівського аналізу, оптичного пропускання, фотолюмінесценції та спектрів збудження фотолюмінесценції показано, що вплив НВЧ опромінювання призводить до зміни градієнта внутрішніх механічних напружень та збільшення міграційної здатності дислокацій і, як наслідок, до перерозподілу центрів рекомбінації у зразку.
Ключові слова: мікрохвильове випромінювання, процеси релаксації, карбід кремнію, спектроскопія оптичного пропускання, дифрактометрія високої роздільної здатності.
Ю.Ю. Бачеріков, В.Ю. Горонескуль, O.Йо. Гудименко, В.П. Кладько, O.Ф. Коломис, I.M. Кріщенко, О.Б. Охріменко, В.В. Стрельчук
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.