Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (2), P. 186-192(2020).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo23.02.186
Вплив катіонного заміщення на оптичні константи змішаних кристалів (Cu1–xAgx)7SiS5I
1Ужгородський національний університет, фізичний факультет,
3, пл. Народна, 88000 Ужгород, Україна
Анотація. Змішані кристали (Cu1–хAgx)7SiS5I вирощували методом вертикальної зонної кристалізації. Показано, що вони кристалізуються в кубічній структурі (). Спектри дифузного відбивання для порошків змішаних кристалів (Cu1–хAgx)7SiS5I вимірювали при кімнатній температурі. Показники заломлення та коефіцієнти екстинкції змішаних кристалів (Cu1–хAgx)7SiS5I були отримані методом спектральної еліпсометрії. Зі збільшенням вмісту Ag виявлено нелінійне зменшення ширини псевдозабороненої зони та нелінійну поведінку, з максимумом, показника заломлення. Дисперсію показників заломлення (Cu1–хAgx)7SiS5I описано в рамках різних моделей.
Ключові слова: змішаний кристал, спектральна еліпсометрія, показник заломлення, дифузне відбивання, ширина псевдозабороненої зони.
І.П. Студеняк1, С.М. Березнюк1, М.М. Поп1, В.І. Студеняк1, А.І. Погодін1, О. П. Кохан1, B. Grancic2, P. Kus2
2Comenius University, Faculty of Mathematics, Physics and Informatics,
Mlynska dolina, 84248 Bratislava, Slovakia
E-mail: studenyak@dr.com
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.