Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (2), P. 208-213(2020).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo23.02.208
Шунтуючий струм у InAs дифузійних фотодіодах
1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
Анотація. Шунтуючий струм було досліджено у дифузійних InAs фотодіодах p+-n типу. Мезаструктури виготовлено послідовним травленням у розчині Br2-HBr, CP-4 та у травильному розчині на основі молочної кислоти. Поверхня мезаструктури була пасивована спиртовим розчином Na2S. Після кожної хімічної обробки вимірювались вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики як функції напруги зміщення та температури. Показано, що шунтуючий струм містить омічні та неомічні компоненти. Отримано докази того, що неомічна складова шунтуючого струму зумовлена струмом, обмеженим просторовим зарядом у поверхневому інверсійному шарі та тунельним струмом крізь локальні рівні пасток в об’ємі.
Ключові слова: InAs, шунтуючий струм, поверхневий шар інверсії.
А.В. Сукач1, В.В. Тетьоркін1, А.І. Ткачук2
2Центральноукраїнський державний педагогічний університет імені Володимира Винниченка
1, вул. Шевченка, 25000 Кропивницький, Кіровоградська обл., Україна
E-mail: teterkin@isp.kiev.ua
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.