Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (2), P. 214-219(2020).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo23.02.214


Шунтуючий струм у InAs дифузійних фотодіодах
О.В. Андрєєв1, В.Б. Лупкін1, М.Н. Журибєда1, В.П. Маслов2, В.Й. Ларін3, В.О. Мороженко2, Г.В. Дорожинський2, Н.В.Качур2, Х.В. Дорожинська4, А.В. Туровська3

1Компанія «Антонов», 1, вул. Туполєва, 03062 Київ, Україна
2Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, НАН України 41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
3Національний авіаційний університет України, 1, проспект Любомира Гузара, 03058 Київ, Україна
4Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут ім. Ігоря Сікорського» 37, проспект Перемоги, 03056 Київ, Україна
E-mail: vpmaslov@ukr.net

Анотація. У цій роботі досліджено метод SPR. І було показано, що цей метод SPR є простим і надійним підходом до вивчення якості авіаційного гасу. Пристрій «Плазмон-71», розроблений в Інституті фізики напівпровідників імені В. Лашкарьова НАН України, з урахуванням виміряних значень показника заломлення, дозволило виявити зміни складу гасу після зберігання та застосування його в умовах авіаційного підприємства . Результати вимірювань SPR підтверджені за допомогою інфрачервоної спектрометрії, що дозволяє виявити присутність заліза, молібдену та хрому, що містять органічні сполуки.

Ключові слова: поверхневі плазмони, показник заломлення, SPR-сенсор, інфрачервона спектрометрія, ІЧ-спектроскопія.

Текст статті (PDF)


Назад до 23 (2)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.