Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (2), P. 115-123 (2021).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo24.01.115
Перетворення тонкого шару Lagenaria Siceraria у відновлені наночастинки оксиду графену, леговані оксидом цинку, для створення суперконденсаторів
Department of Physics, St. Joseph’s College (Autonomous), Tiruchirappalli, Tamil Nadu, India
Анотація.
Описано процес виготовлення дифузійним методом швидкодіючих Ge p-i-n фотодіодів для лазерного далекоміра з максимумом фоточутливості на довжині хвилі
1,54 мкм та новим пасивуючим шаром ZnSe. Проведено теоретичне моделювання роботи далекоміра в реальних умовах для визначення вимог до чутливості фотоприймача.
Експериментально досліджено порогову чутливість розробленого фотоприймача в складі макета лазерного далекоміра. Встановлено відповідність
між розрахованими значеннями та чутливістю фотоприймача, що дозволило зробити висновок про можливість його застосування в складі лазерного далекоміра.
Ключові слова: натуральний тонкий шар Lagenaria Siceraria, rGO-ZnO, зелений синтез, електрохімічні властивості, суперконденсатори.
M.I. Pratheepa, M. Lawrence
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.