Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (2), P. 115-123 (2021).


Перетворення тонкого шару Lagenaria Siceraria у відновлені наночастинки оксиду графену, леговані оксидом цинку, для створення суперконденсаторів
M.I. Pratheepa, M. Lawrence

Department of Physics, St. Joseph’s College (Autonomous), Tiruchirappalli, Tamil Nadu, India

Анотація. Описано процес виготовлення дифузійним методом швидкодіючих Ge p-i-n фотодіодів для лазерного далекоміра з максимумом фоточутливості на довжині хвилі 1,54 мкм та новим пасивуючим шаром ZnSe. Проведено теоретичне моделювання роботи далекоміра в реальних умовах для визначення вимог до чутливості фотоприймача. Експериментально досліджено порогову чутливість розробленого фотоприймача в складі макета лазерного далекоміра. Встановлено відповідність між розрахованими значеннями та чутливістю фотоприймача, що дозволило зробити висновок про можливість його застосування в складі лазерного далекоміра.

Ключові слова: натуральний тонкий шар Lagenaria Siceraria, rGO-ZnO, зелений синтез, електрохімічні властивості, суперконденсатори.

Текст статті (PDF)


Назад до 24 (2)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.