Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (2), P. 131-138 (2021).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo24.01.131


Вплив катіонного заміщення на електричну провідність мікрокристалічної кераміки на основі твердих розчинів (Cu1-xAgx)7GeSe5I
І.П. Студеняк1, А.І. Погодін1, В.І. Студеняк1, Т.О. Малаховська1, М.Й. Філеп1, О.П. Кохан1, V. Takats2, S. Kökényesi3

1Ужгородський національний університет, фізичний факультет,
46, вул. Підгірна, 88000 Ужгород, Україна
2Institute for Nuclear Research, 18/c Bem Sq., 4026 Debrecen, Hungary,
3University of Debrecen, 18/a Bem Sq., 4026 Debrecen, Hungary,

Анотація. Керамічні зразки на основі мікрокристалічних порошків (Cu1-хAgx)7GeSe5I (x = 0, 0.25, 0.5, 0.75, 1) виготовлено шляхом їх пресування при тиску ~ 400 МПа з наступним відпалом при температурі 873 K протягом 36 годин. Методом мікроструктурного аналізу визначено розміри кристалітів одержаних керамік. Дослідження електропровідності керамічних матеріалів (Cu1-хAgx)7GeSe5I проведено методом імпедансної спектроскопії у частотному діапазоні 10 ‒ 3·105 Гц та у температурному інтервалі 293–383 K. За результатами аналізу частотної залежності електропровідності на діаграмах Найквіста визначено внески іонної та електронної компонент електропровідності, а також їх співвідношення. Термоактиваційний характер електропровідності підтверджено на основі лінійності температурних залежностей її компонент в арреніусівських координатах. Побудовано відповідні концентраційні залежності іонної та електронної компонент електропровідності та їх енергій активації. Встановлено, що вони носять нелінійний характер, який пояснюється складним процесом рекристалізації та заміщенням Cu+↔Ag+ у межах катіонної підґратки.

Ключові слова: аргіродит, суперіонний провідник, твердий розчин, кераміка, імпедансна спектроскопія.

Текст статті (PDF)


Назад до 24 (2)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.