Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (2), P. 175-184 (2021).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo24.01.175
Ключові параметри текстурованих кремнієвих сонячних елементів з ефективністю 26,6%
1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Анотація.
Представлено новий підхід до моделювання параметрів високоефективних текстурованих кремнієвих сонячних елементів.
На відміну від інших алгоритмів оптимізації, наш підхід додатково включає такі важливі чинники, як безвипромінювальна оже-рекомбінація екситонів крізь глибокі домішкові рівні,
а також рекомбінація електронно-діркових пар в області просторового заряду. Також використовується простий феноменологічний вираз, який ми запропонували для зовнішньої квантової
ефективності текстурованого кремнієвого сонячного елемента в довгохвильовій частині спектра поглинання. За допомогою цього підходу теоретично визначаються такі ключові
параметри текстурованих кремнієвих сонячних елементів, як струм короткого замикання, напруга розімкнутого кола та ефективність фотоперетворення.
Запропонований підхід дозволяє розрахувати залежність ефективності фотоперетворення від товщини, що добре узгоджується з експериментальними результатами,
отриманими для гетероперехідних сонячних елементів з рекордною ефективністю фотоперетворення 26,6%.
Запропонований підхід може бути використаний для оптимізації характеристик високоефективних текстурованих сонячних елементів на основі монокристалічного кремнію.
Ключові слова: кремнієвий сонячний елемент, текстура, напруга розімкненого кола, густина струму короткого замикання, ефективність фотоперетворення, коефіцієнт заповнення.
А.В. Саченко1, В.П. Костильов1, Р.М. Коркішко1, В.M. Власюк1, I.O. Соколовський1, Б.Ф. Дверніков1,
В.В. Черненко1, M. Євстігнєєв2
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
2Memorial University of Newfoundland, St. John’s, NL, A1B 3X7, Canada
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.