Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (2), P. 185-191 (2021).


Явища спінтроніки, індуковані ТГц випромінюванням, у вузькощілинних тонких плівках HgCdTe у зовнішньому постійному електричному полі
З.Ф. Цибрій1, С.Н. Данилов2, Ж.В. Гуменюк-Сичевська1, Н.Н. Михайлов3, С.А. Дворецкий3,4, Є.О. Мележик1, Ф.Ф. Сизов1

1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
2Terahertz Center, University of Regensburg, 93040 Regensburg, Germany
3Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of the Siberian Branch of the RAS,
13, Ac. Lavrentieva ave., Novosibirsk, Russia, 630090, Russian Federation
4Tomsk State University, Tomsk 634050, Russian Federation

Анотація. Досліджено відгук неохолоджуваних (T = 300 K) та охолоджуваних до T = 78 K інтегрованих з антеною тонкоплівкових фотопровідників на основі вузькощілинного Hg1 xCdxTe, що мають велику спін-орбітальну взаємодію і опромінених терагерцовим (ТГц) випромінюванням (лінійно або циркулярно поляризованим). Потужне ТГц випромінювання спричиняє фотоструми, знак та величина яких контролюються орієнтацією осей антен, напрямком зовнішнього постійного електричного поля та орієнтацією електричного поля поляризованого випромінювання (циркулярного або лінійного), що падає на фотопровідники. Спостережувані ефекти, можливо, зумовлено спіновими струмами, що властиві пристроям, в яких виявляються спінтронні ефекти.

Ключові слова: спінтронні явища, фотопровідники, ТГц випромінювання, HgCdTe.

Текст статті (PDF)


Назад до 24 (2)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.