Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (2), P. 192-199 (2021).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo24.01.192
Аналіз модельних характеристик для оптимізації сонячного елемента на основі In0.7Ga0.3N з p-i-n гомопереходом
Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Dhaka, Dhaka-1000, Bangladesh
Анотація.
Для визначення ідеальних структурних параметрів сонячного елемента на основі In0.7Ga0.3N з p-i-n гомопереходом проведено моделювання, щоб отримати максимальну загальну ефективність.
Показано, що параметри – n-шар товщиною 16 нм, власний шар (i-шар) товщиною 0,5 мкм і p-шар товщиною 3 мкм з відповідними концентраціями легування 1·1020 cм–3 для n-шару і
1·1018 cм–3 для p-шару – дозволяють досягти максимальної ефективності 29,21%. Конструкція сонячного елемента забезпечує напругу холостого ходу 1,0 В,
густину струму короткого замикання 33,15 мA/cм2 і коефіцієнт заповнення 88,03%.
Однак ефективність різко падає, якщо щільність дислокацій в i-шарі більше ніж 1·1014 cм–3, а фонова концентрація домішок в i-шарі перевищує 1,5·1016 cм–3.
Ключові слова: p-i-n гомоперехід, сонячний елемент, пристрій для моделювання ємності сонячних елементів (SCAPS).
S. Hussain, Md. T. Prodhan and Md. M. Rahman
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.