Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (2), P. 121-136 (2022).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.02.121
Особливості амплітудних та фазових спектрів напівпровідникових структур у ТГц діапазоні частот
1V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Department of Theoretical Physics Анотація.
Розглянуто головні особливості амплітудних і фазових спектрів пропускання/відбивання декількох модельних напівпровідникових структур, у тому числі діелектричну підкладку, тонкий провідний шар, розміщений між двома діелектричними середовищами, тонкий провідний шар, розміщений на діелектричній підкладці, і гібридну плазмонну структуру з тонким провідним каналом під металевою ґраткою. Аналіз було здійснено з використанням аналітичних виразів, отриманих у результаті розв’язків рівнянь Максвелла при нормальному падінні плоскої електромагнітної хвилі. Показано, що специфічна поведінка амплітудних та фазових спектрів у ТГц діапазоні може бути використана для визначення базових параметрів 2D-електронного газу, включаючи концентрацію вільних електронів та їх рухливість, у рамках експериментальних методик ТГц спектроскопії з розділенням у часі. Нами запропоновано ефективний фазовий модулятор ТГц випромінювання з електричним контролем робочих параметрів, що ґрунтується на ефекті 2D-плазмонного резонансу в гібридних плазмонних структурах зі просторово-модульованим профілем концентрації у тонкому провідному шарі.
Ключові слова: фаза, фазовий спектр, ТГц спектроскопія з розділенням у часі, ТГц фазовий модулятор, плазмонна структура, металічна ґратка.
Ю.М. Лящук1,*,
В.В. Коротєєв1,2,*,
В.О. Кочелап1
41, prospect Nauky, 03680 Kyiv, Ukraine
2Center for Physical Sciences and Technology, Sauletekio al. 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania
*Corresponding authors e-mail: yulashchuk@gmail.com*; koroteev@ukr.net**
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.