Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (2), P. 137-145 (2022).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.02.137
Принципи створення пристроїв, які здатні керувати протіканням струму у провідниках другого роду
V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 41, prospect Nauky, 03680 Kyiv, Ukraine Анотація.
У роботі з позиції уявлень, що використовуються у фізиці напівпровідників та напівпровідникової техніки, розглядаються процеси, які протікають у провідниках 2-го роду та зумовлені струмопроходженням у них. Показано, що використання кількох композитних матеріалів, що складаються з пористої матриці, яку заповнено електролітом, дозволяє отримувати багатошарові структури, в яких у середовищі електроліту з’являються потенціальні бар’єри, поява яких зумовлена відмінностями у властивостях пористої матриці кожного шару. Показано перспективу створення нових пристроїв на базі провідників 2-го роду, які здатні керувати напрямком і величиною струмопроходження у таких провідниках, що знаходяться в рідкому стані (електролітах), тобто перспективу отримання іонних пристроїв, які максимально наближуються за своїми функціональними властивостями до основних електронних пристроїв, таких як діоди, транзистори і т.д.
Ключові слова: фаза, фазовий спектр, ТГц спектроскопія з розділенням у часі, ТГц фазовий модулятор, плазмонна структура, металічна ґратка.
Ю.Ю. Бачеріков, О.Б. Охріменко
*Corresponding author e-mail: yuyu@isp.kiev.ua
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.