¹Karakalpak State University named after Berdakh, Uzbekistan,
1, Abdirov str., 230012 Nukus, Republic of Karakalpakstan
E-mail: abat-62@mail.ru
²Nukus State Pedagogical Institute named after Ajiniyaz
P. Seyitov str., Nukus, Republic of Karakalpakstan

Анотація. Наведено результати досліджень підсилення фотоелектричної інжекції у структурі Al–Al₂O₃–p-CdTe–Mo при високих напругах зміщення прямого струму. Показано, що спектральна чутливість досягає максимального значення S_λ = 8,4∙10⁴ А/Вт при освітленні «власним» світлом з λ = 450 нм та при V = 7 В, у той час як при освітленні «домішковим» світлом з λ = 950 нм S_λ = 4,3∙10⁴ A/W при тій самій напрузі зміщення. Установлено, що при освітленні конструкції «власним» світлом реалізується механізм позитивного зворотного зв’язку, а при освітленні «домішковим» – механізм параметричного підсилення.

Ключові слова: напівпровідникова плівка, фотодетектор, чутливість, вольт-амперна характеристика.

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 25 (2)