Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (2), P. 196-202 (2022).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.02.196
Аналіз динамічних характеристик оптичного інтегрованого пристрою в режимі генерації
Radiation Engineering Dept. National Center for Radiation Research and Technology (NCRRT), Анотація.
У даній роботі чисельно проаналізовано динамічну характеристику оптичного підсилення оптичного інтегрованого пристрою, що складається з гетероперехідного біполярного транзистора (HBT) та лазерного діода (LD). Цей тип інтегрованого оптичного пристрою має назву транзисторний лазер (TL). Спочатку моделювання починається з розв’язання рівняння для швидкості LD, щоб отримати його передатну функцію. По-друге, загальна передатна функція всієї структури аналізується чисельно. Проаналізовано вплив частоти відсічки HBT на амплітудну та фазову частотну характеристику. Результати показують, що HBT сильно впливає на продуктивність пристрою, де вищі значення частоти відсічки HBT дають нижчу амплітуду в діапазоні низьких частот. На відміну від фазової характеристики, вища частота відсічки HBT дає вищу фазу. Оскільки ця модель все ще стабільна і забезпечує швидку реакцію та високе оптичне підсилення на високих частотах, її можна використовувати як оптичний підсилювач та оптичний перемикач у дуже високошвидкісних оптичних системах.
Ключові слова: оптичний інтегрований пристрій, лазерний діод, гетероперехідний біполярний транзистор, транзисторний лазер, гетероперехідний біполярний транзисторний лазер, гетероперехідний біполярний світловипромінюючий транзистор.
Sh. M. Eladl, K. A. Sharshar, M. H. Saad
Egyptian Atomic Energy Authority (EAEA), Nasr City, Cairo, Egypt
Corresponding author e-mail: shaban_45@yahoo.com; ksharshar@yahoo.com
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.