Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 26 (2), P. 140-146 (2023).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo26.02.140
Формування плівок ZnO на підкладках SiC/пористий Si/Si
Анотація.
Методом реактивного магнетронного напилення одержано плівки ZnO на підкладках SiC/пористий Si/Si. При цьому плівка карбіду кремнію на поверхні пористого Si була отримана методом хімічного заміщення атомів. Показано, що плівки ZnO, вирощені при парціальному тиску кисню 0.6 Па, характеризуються більш гладкою та однорідною поверхнею, ніж покриття, отримані при тиску кисню 0.1 Па. На підставі аналізу спек-трів раманівського розсіяння світла та фотолюмінесценції показано, що збільшення парціального тиску кисню приводить до збільшення структурного розупорядкування кристалічної ґратки ZnO з одного боку, і в той же час до зменшення концентрації власних дефектів, у тому числі іонізованих кисневих вакансій Oi, з іншого боку.
Ключові слова: реактивне магнетронне напилення, пористий Si, плівка карбіду кремнію, метод хімічного заміщення атомів, спектри раманівського розсіяння світла та фотолюмінесценції.
В.В. Кідалов, А.А. Дяденчук, В.А. Батурін, О.Ю. Карпенко, О.Ф. Коломис, В.В. Пономаренко,
З.В. Максименко, В.В. Стрельчук, Ю.Ю. Бачеріков, О.Б. Охріменко
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.