Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 26 (2), P. 147-151 (2023).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo26.02.147
Трансформація дефектів напівпровідникових структур під впливом магнітних полів, стимульована дрейфовими явищами
Анотація.
Розглянуто явище спрямованого руху рухомих заряджених точкових дефектів у напівпровідникових структурах при дії магнітних полів. Вивчено особливості дрейфу дефектів у знакозмінних магнітних полях. Проаналізовано ефект спрямованого переміщення заряджених дефектів при спільній дії постійного та змінного магнітних полів. Подано аналітичні співвідношення для швидкості дрейфу дефектів у напівпровідникових структурах при даних впливах.
Ключові слова: магнітне поле, заряджений дефект, дрейф дефектів.
Г.В. Міленін, Р.A. Редько
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.