Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 26 (2), P. 159-164 (2023).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo26.02.159


Кінетика носіїв заряду у двосторонньому макропористому кремнії
В.Ф. Онищенко, Л.А. Карачевцева, К.В. Андрєєва, Н.В. Дмитрук, А.З. Євменова

Анотація. Кінетика носіїв заряду у двосторонньому макропористому кремнії з однаковою товщиною макропористих шарів розраховується методом скінченних різниць. Ми використали рівняння дифузії, яке записали для монокристалічної підкладки та макропористих шарів. Граничні умови були записані на межах монокристалічної підкладки та зразка двостороннього макропористого кремнію. Як початкову умову ми використали розподіл надлишкових носіїв заряду у двосторонньому макропористому кремнії з однаковою товщиною макропористих шарів за стаціонарних умов, який розрахували методом скінченних різниць. За стаціонарних умов, світло з довжинами хвиль 0,95 мкм та 1,05 мкм генерувало надлишкові носії заряду. Показано, що коли час відліку буде набагато більшим за час релаксації, тоді всі розподіли концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду, генерованих світлом з любою довжиною хвилі, перейдуть в один і той же розподіл, величина якого буде зменшуватись за експоненціальним законом.

Ключові слова: кінетика, релаксація, розподіл надлишкових носіїв заряду, макропористий кремній.

Текст статті (PDF)


Назад до 26 (2)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.