Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 26 (2), P. 165-172 (2023).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo26.02.165
Метод швидкого розрахунку електронних станів у 2D квантових структурах на основі нітридів AIIIBV
Анотація.
У роботі наведено метод швидкого розрахунку електронних станів у двовимірних квантових структурах на основі нітридів AIIIBV. Метод базується на представленні електронних станів у вигляді лінійної комбінації об’ємних хвильових функцій матеріалів, з яких виготовлені квантові структури. Розглянуто параметри та критерії відбору об’ємних хвильових функцій, які забезпечують швидку збіжність чисельних процедур розрахунку власних значень квантового гамільтоніану. Наведено результати розрахунків як для однієї полярної InGaN/GaN квантової ями, так і для системи з декількох квантових ям. Базуючись на повній зонній структурі AIIIBV нітридів з кристалічною ґраткою типу вюртциту, пропонований підхід враховує стани, далекі від центра зони Бриллюена, водночас зберігаючи розрахункову ефективність традиційних методів огинаючих функцій у наближенні ефективної маси.
Ключові слова: AIIIBV нітриди, двовимірні квантові структури, електронні стани.
А.В. Сліпокуров, П.П. Корнійчук, А.В. Зіновчук
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.