Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 26 (2), P. 230-235 (2023).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo26.02.230
Кінетика свічення вузькоспектральних світлодіодів при імпульсному живленні
Анотація.
Наведено результати експериментальних досліджень кінетики свічення вузькоспектральних світлодіодів (СД) на основі структур InGaN-GaN 450 і 520 нм та AlGaInP-GaAs 625 нм. Наростання та спадання світлового потоку при імпульсному живленні описується експоненціальною залежністю і має швидку та повільну складові. Із зростанням частоти імпульсів постійна часу обох складових наростання та спадання світлового потоку зменшується для усіх трьох типів зразків СД. Із збільшенням амплітуди імпульсу струму та напруги постійна часу повільної складової зменшується. На частотній залежності енергетичних характеристик СД максимум світлового потоку знаходиться на частоті 75…100 кГц. Подальше зростання частоти приводить до спадання енергетичної ефективності СД. Пояснення результатів проведено на основі еквівалентної електричної та енергетичної схеми СД.
Ключові слова: світлодіод, широтно-імпульсна модуляція, енергетична ефективність, коефіцієнт затухання.
В.А. Андрійчук, М.С. Наконечний, Я.О. Філюк
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.