Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 27 (2), P. 189-193 (2024).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo27.02.189

Дисперсія частоти діелектричних коефіцієнтів кристалів MnGaInTe4
N.N. Niftiyev, A.O. Dachdemirov, F.M. Mammadov, M.B. Muradov

Анотація. Досліджено частотні та температурні залежності тангенса кута діелектричних втрат, а також дійсної та уявної частин діелектричної проникності кристалів MnGaInTe4 в діапазоні частот 102…106 Гц. Визначено їх експериментальні значення. Виявлено, що дійсна та уявна частини діелектричної проникності зазнають значної дисперсії, яка носить релаксаційний характер. Основним видом діелектричних втрат у кристалах MnGaInTe4 у діапазоні частот 102…106 Гц є втрати на електропровідність, а провідність характеризується зонно-стрибковим механізмом. Визначено енергії активації носіїв заряду.

Ключові слова:діелектрична проникність, діелектричні втрати, частота, дисперсія, релаксація, енергія активації.

Текст статті (PDF)


Назад до 27 (2)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.