Анотація. Досліджено латеральний біполярний електричний транспорт у багатоперіодних n-In0.08Ga0.92As/GaAs гетероструктурах з тунельно-зв’язаними подвійними квантовими ямами з різною рухливістю носіїв при температурах 4,2-160 K. Наявність двох типів носіїв заряду – електронів і дірок – ідентифікується шляхом спостереження міжзонної електролюмінесценції (ЕЛ). Виявлено, що вольт-амперна характеристика має складну нелінійну форму, а зміни струму супроводжуються модифікацією інтенсивності та спектра ЕЛ. Ми спостерігали коливання струму та напруженості ЕЛ з частотою десятків МГц, які виникають при електричних полях, значно нижчих за порогове поле, необхідне для нестабільності Ганна. Коливання інтенсивності ЕЛ виникають у протифазі до коливань струму. Електричні та оптичні вимірювання показують, що неосновні носії (дірки) постачаються з анодного контакту зразка. Просторове розділення електронів і дірок у структурах з подвійними квантовими ямами забезпечує аномально великі часи електрон-діркової рекомбінації та довжини дрейфу дірок. Досліджена поведінка струму та ЕЛ може бути інтерпретована як сукупний ефект просторового розділення електронів і дірок та динаміки їх переходів між нелегованими та легованими квантовими ямами. На наш погляд, вивчені ефекти просторового переносу при високопольовому біполярному електричному транспорті, зокрема, високоінтенсивна міжзонна електролюмінесценція з макроскопічно великих площ, може бути корисною для великої кількості оптоелектричних застосувань.

Ключові слова: квантові ями, осциляції струму, латеральний електричний транспорт, від’ємна диференціальна провідність, перенос у реальному просторі.

Посилання

Назад до 21 (3)