Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (3), P. 273-276 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.03.273
Дослідження механічних властивостей кристалів твердих розчинів (Cu1-xAgx)7GeS5I методом мікроіндентування
В.В. Біланич, А.В. Бендак, К.В. Скубенич, А.І. Погодін, В.С. Біланич, I.П. Студеняк
Анотація. Кристали твердих розчинів (Cu1-xAgx)7GeS5I вирощувалися методом Бріджмена–Стокбагера. Досліджено залежності твердості від профілів глибини індентування в кристалах твердих розчинів (Cu1-xAgx)7GeS5I. Вимірювання механічних параметрів проводилися при кімнатній температурі методом мікроіндентування. Зміни твердості кристалів твердих розчинів (Cu1-xAgx)7GeS5I інтерпретовано в рамках моделі градієнта деформацій. Досліджено вплив катіонного заміщення Cu→Ag на механічні параметри кристалів твердих розчинів (Cu1-xAgx)7GeS5I.
Ключові слова: суперіонні кристали, катіонне заміщення, механічні властивості, мікротвердість, мікроіндентування.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.