Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (3), P. 288-293 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.03.288
Електронна структура та оптичні властивості HgSe
J.O. Akinlami and O.O. Odeyemi
Анотація. Проведено розрахунки теорії функціонала щільності сполуки селеніду ртуті з використанням методу плоскохвильового псевдопотенціалу в рамках узагальненої градієнтної апроксимації для дослідження електронної структури та діелектричного відгуку цієї сполуки у фазі цинкової обманки. Розраховано параметри решітки та об’єму збігаються з даними інших експериментальних та теоретичних робіт. Електронна структура сполуки показала, що селенід ртуті проявляє напівметалічну властивість з незначною прямою забороненою зоною близько 0 еВ у гамма-точці високої симетрії. Отримано також реальні та уявні частини діелектричної функції як функції енергії фотонів.
Ключові слова: теорія функціонала щільності, структурні властивості, електронна структура, оптичні властивості, селенід ртуті.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.