Анотація. В рамках теорії функціонала густини в наближенні локальної густини з поправкою на сильні кореляції (метод LDA+U) виконано розрахунки зонної структури, повної та парціальних густин електронних станів, а також просторового розподілу густини електронного заряду. За результатами розрахунку Si2Te3 є непрямозонним напівпровідником з розрахованою шириною забороненої зони 2.05 еВ, близькою до експериментально виміряної 2.13 еВ. В інтервалі температур 80–293 K виміряно спектри крайового поглинання і фотопровідності кристала Si2Te3. Показано, що залежність коефіцієнта поглинання від енергії фотонів описується правилом Урбаха. З температурної залежності параметра крутизни краю поглинання визначено параметр 0, пов’язаний зі сталою електрон-фононної взаємодії, та енергію ефективних фононів ħph, які беруть участь у формуванні краю поглинання кристалічного Si2Te3. Відхилення від стехіометричного складу в бік надлишку телуру істотно позначається на спектральному розподілі фотопровідності кристалів Si2Te3.

Ключові слова: сесквітелурид кремнію, електронна структура, електрон-фононна взаємодія, край поглинання, фотопровідність.

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 22 (3)