Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (3), P. 299-309(2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.03.299
Нанорозмірні рівні самоорганізованих структур у некристалічних напівпровідниках системи As-S(Se)
M.I. Maр’ян1, Н.В. Юркович1*, V. Seben2
2University of Presov, 1, 17 November Str., 08116 Presov, Slovakia
Анотація. Запропоновано синергетичну модель переходу в некристалічний стан, яка дає змогу дослідити температурну залежність мікроскопічних параметрів (середньоквадратичних зміщень, частки атомів у м’яких атомних конфігураціях, силових постійних) при дії зовнішнього контролюючого параметра – швидкості охолодження. Проведено її аналіз на основі експериментальних досліджень для некристалічних напівпровідників системи As-S(Se). Показано, що формування самоорганізованих структур некристалічних твердих тіл здійснюється у відповідності з технологічними умовами одержання як спосіб самоорганізації системи. Досліджено залежність періоду та часу життя самоорганізованих структур від швидкості охолодження. Встановлена величина періоду просторової неоднорідності Lc ≈ 10…102 Å корелює з нанорозмірами середнього порядку в некристалічних матеріалах системи As-S(Se) і зменшується зі збільшенням швидкості охолодження.
Ключові слова: фрактальність, некристалічні напівпровідники, самоорганізовані структури, синергетика, тривимірна біфуркаційна діаграма.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.