Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (3), P. 361-365(2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.03.361


Вплив методу легування на люмінесцентні властивості ZnS:Ag
Ю.Ю. Бачеріков1, А.Г. Жук1, О.Б. Охріменко1, Є.Ю. Печерська-Громадська2, В.В. Кідалов3, С.В. Оптасюк4

1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України 41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна Е-mail: yuyu@isp.kiev.ua
2Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут ім. Ігоря Сікорського» 37, просп. Перемоги, 03056 Київ, Україна
3Бердянський державний педагогічний університет, 4, вул. Шмидта, 71100 Бердянськ, Україна
4Кам’янець-Подільський національний університет ім. Івана Огієнка, 61, вул. Огієнка, 32300 Кам’янець-Подільськ, Україна

Анотація. У роботі досліджено вплив способу легування на люмінесцентні характеристики дисперсного ZnS, легованого Ag. Аналіз співвідношення інтенсивності смуг фотолюмінесценції, пов’язаних з центрами, зумовленими домішкою Ag, і власними дефектами, дозволив зробити висновок, що формування дисперсного ZnS:Ag методом самопоширюваного високотемпературного синтезу має ряд переваг: легування відбувається безпосередньо в процесі синтезу матеріалу, є можливість отримання одночасно двох фракцій з різними розмірами частинок, при розмірах частинок більших за 20 нм у ZnS:Ag, виготовленого методом самопоширюваного високотемпературного синтезу, спостерігається менша концентрація дефектів у порівнянні з ZnS:Ag, отриманого методом термолегування.

Ключові слова: самопоширюваний високотемпературний синтез, термолегування, фотолюмінесценція, ZnS, Ag.

Текст статті (PDF)


Назад до 22 (3)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.