Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (3), P. 294-301 (2020).
https://doi.org/10.15407/spqeo23.03.294
Визначення умов кристалізації гетероструктур Ge/GaAs у методі скануючої рідиннофазної епітаксії
1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
76/78, вул. Заводська, 73008 Херсон, Україна
E-mail: shutov_sv@isp.kiev.ua
Анотація. Ми провели моделювання окремих технологічних етапів скануючої рідиннофазної епітаксії (СРФЕ): змочування підкладки розчином-розплавом за допомогою сили
Ампера, вирощування епітаксійного шару під час короткочасного контакту між підкладкою і розчином-розплавом та видалення розчину-розплаву з підкладки з використанням сили Ампера.
Моделювання проводили для випадку вирощування шарів Ge на підкладці GaAs з розчину-розплаву Ga-Ge при температурі 500 °С.
Було виявлено, що ефект Пельтьє та джоулево тепло практично не впливають на структуру росту та за певних умов їх навіть можна зменшити.
Електроміграцією та конвекцією у розчині-розплаві можна знехтувати. Показано, що основними технологічними параметрами методу СРФЕ є такі:
початкові температури та розміри підкладки і ростової комірки, умови відведення тепла з тильного боку підкладки та час процесу росту.
Було також показано, що основним внеском у розподіл товщини епітаксійного шару по поверхні підкладки був розподіл тепла в охолодженій підкладці.
Ключові слова: скануюча рідиннофазна епітаксія, сила Ампера, гетероструктури, тонкі плівки.
В.В. Цибуленко, С.В. Шутов, С.Ю. Єрохін
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.