Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (3), P. 302-307 (2020).
https://doi.org/10.15407/spqeo23.03.302
Зміни домішкової випромінювальної рекомбінації та морфології поверхні, викликані обробкою GaP у слабкому магнітному полі
1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
45, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
Анотація. У цій роботі наведено результати вивчення довготривалих змін інтенсивності смуг фотолюмі-несценції та поверхневої морфології фосфіду галію,
спричинених обробкою в слабких магнітних полях. Запропоновано нетепловий механізм, що базується на ідеї перетворення дефектів внаслідок випадкових подій,
пов’язаних з модифікацією дефектів підсистеми. Оцінено потужність випромінювання електромагнітних хвиль, збуджених рухом електронів у досліджуваному напівпровіднику.
Розраховано емпіричні параметри для довготривалої трансформації інтенсивності фотолюмінесценції та коефіцієнти дифузії для дефектів, які з’являються. Ключові слова: фотолюмінесценція, дислокація, випадкова подія, резонанс, іонно-плазмова частота, слабке магнітне поле, мікрохвильове випромінювання.
Р.А. Редько1, 2, Г.В. Міленін1, В.В. Міленін1, С.М. Редько1
2Державний університет телекомунікацій,
7, вул. Солом’янська, 03680 Київ, Україна
E-mail: milenin.gv@gmail.com; redko.rom@gmail.com
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.