Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (3), P. 316-322 (2020).
Висококогерентні осциляції в ІЧ-спектрах макропористого кремнію з нанопокриттями
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
Е-mail: lakar@isp.kiev.ua
Анотація.
Одним з перспективних матеріалів для розробки двовимірних фотонних структур є макропористий кремній, отриманий за допомогою фотоанодного травлення.
Наявність періодично розташованих циліндричних пор, розділених кремнієвими колонами, забезпечує велику ефективну поверхню структур, покращує оптичні та фотофізичні характеристики макропористого кремнію.
У даній роботі досліджено осциляції ІЧ-поглинання двовимірними структурами макропористого кремнію з мікропористими шарами кремнію, SiO2 нанопокриттями та CdTe,
ZnO поверхневими нанокристалами з урахуванням електрооптичного ефекту Ваньє–Штарка. Аналіз експериментальних спектрів поглинання здійснено в рамках моделі резонансного розсіювання електронів
з нескінченною амплітудою на поверхневих станах у сильному електричному полі, з різницею між двома резонансними енергіями, що дорівнює сходинці Ваньє–Штарка. Постійність періоду осциляцій вказує
на реалізацію ефекту Ваньє–Штарка на довільно розподілених поверхневих станах на межі «кремній–нанопокриття». Проведено порівняння ІЧ поглинання світла в 2D структурах
макропористого кремнію з поверхневими нанопокриттями, проаналізовано зрушення і відхилення вершин коливань. Когерентність осциляцій ІЧ-спектрів підвищується в результаті
зменшення концентрації поверхневих станів та оптимальної площі контакту нанокристалів до поверхні макропор. Таким чином, зсув осциляцій для наночастинок ZnO з оптимальним розміром
нанокристалів (3,7…4.4 нм) призводить до відхилень коливань у межах 0,26…0,42 меВ, тобто узгодженість коливань досягає 0,25…0,4%. Малий параметр уширення сходинок Ваньє–Штарка
Г = 0,3…0,8 см–1 дорівнює цьому параметру для поверхневих тонких плівок напівпровідників II-VI.
Контрольованість і когерентність дослідженої системи визначається формуванням когерентних рівнів Ваньє у вузькій трикутній потенціальній ямі, сформованій в електричному полі на границі «кремній–нанопокритя».
У результаті було запропоновано висококогерентний оптичний квантовий комп’ютер на основі реалізації квантового електрооптичного ефекту
Ваньє–Штарка на кремнієвій матриці з макропорами та шаром нанокристалів на поверхні макропор.
Ключові слова: макропористий кремній з нанопокриттями, нескінченне резонансне розсіювання, оптичний квантовий комп’ютер. This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.
|