Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (3), P. 248-254 (2021).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.248


Оптичний сенсор для виявлення мікотоксинів
A.Yu. Leyderman1 , R.A. Ayukhanov2 , R.M. Turmanova2 , A.K. Uteniyazov3,* , E.S. Esenbaeva3

1Physical-Technical Institute of SPA “Physics-Sun”, Uzbekistan Academy of Sciences,
Uzbekistan, 100084, Tashkent, Chingiz Aytmatov str., 2B
2Research Institute of Semiconductor Physics and Microelectronics
under National University of Uzbekistan named after Mirzo Ulugbek,
Uzbekistan, 100057, Tashkent, Yangi Olmazor str., 20
3Karakalpak State University named after Berdakh,
Uzbekistan, Republic of Karakalpakstan,
230012 Nukus, Abdirov str., 1
*E-mail: abat-62@mail.ru

Анотація. ПАнотація.Розглянутоновийтипінжекційногорежиму – нерекомбінаційний, якийможебутиреалізованийупрямомунапрямку струму в структурах p-n-n + типу в умовах протилежних напрямків амбіполярної дифузії та дрейфу нерівноважних носіїв. Це можливо лише в тому випадку, якщо накопичення на n-n + переході сильніше, ніж інжекція крізь p-n перехід, тобто концентрація носіїв на межі n-база – n-n + перехід перевищує їх концентрацію на межі n-база – p-n перехід. У цьому режимі з’являються залежності величини струму від напруги типу J ~ V, а потім J ~ V2. Експериментально така поведінка вольт-амперної характеристики спостерігається для структури Al–Al2O3–CdTe.

Ключові слова: режим нерекомбінаційної інжекції, накопичення носіїв заряду на n-n + переході, амбіполярна дифузія, дрейф носіїв заряду.

Текст статті (PDF)


Назад до 24 (3)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.