Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (3), P. 304-311 (2021).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.304

Поточний стан регуляції хвильової позиції локалізованого поверхневого плазмонного резонансу. Короткий огляд.
П.В. Демидов1, А.М. Лопатинський1, 2, І.І. Гудзенко 1, В.І. Чегель1,2

1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, НАН України
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
2Інститут високих технологій КНУ імені Тараса Шевченка, 64/13,
вул. Володимирська, 01601 Київ, Україна

Анотація. Унікальною особливістю наночастинок з високопровідних матеріалів (плазмонні наночастинки) є той факт, що їх хвильову позицію локалізованого поверхневого плазмонного резонансу (ЛППР) можна регулювати, змінюючи форму, розмір, склад і оточуюче середовище відповідно до цілей застосування. У даному огляді наведено приклади основних механізмів регуляції ЛППР, доступних на даний час. Серед найбільш вживаних методів регуляції хвильової позиції ЛППР – використання різного типу матеріалів наночастинок – золота, срібла, міді, алюмінію та сплаву золото-срібло. Також наведено приклади зміни резонансної позиції поглинання шляхом використання наночастинок з різною формою та розмірністю. Розглянуто використання менш вживаних методів регуляції ЛППР, таких як контрольована регуляція відстані між частинками в одному і двох вимірах. Описано роботи, де хвильову позицію ЛППР регулюють за рахунок зміни оточуючого середовища: товщини підкладки, товщини та діелектричних параметрів шару на поверхні наночастинки. Також розглянуто приклади активного впливу на зміну хвильової позиції ЛППР шляхом прикладання електричного потенціалу та регуляцією плазмових мод.

Ключові слова: локалізований поверхневий плазмонний резонанс, наноструктури золота, наночип, регуляція хвильової позиції ЛППР.

Текст статті (PDF)


Назад до 24 (3)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.