¹VPMP Polytechnic, LDRP campus, Gandhinagar,
²Sarvajanik College of Engineering and Technology, Surat Gujarat, India Corresponding author phone: 9925140518;
e-mail: bhavsarkinjal26@gmail.com

Анотація. Сонячніелементинаосновіперовскітусталигарячоютемоювобластіприладівсонячноїенергетикизавдякивисокій ефективності та недорогій технології фотовольтаїки. Однак їх застосування обмежено високою вартістю матеріалу, що забезпечує діркову провідність, у той же час високотемпературний шар матеріалу з електронною провідністю є загальною структурою таких пристроїв. Чисельне моделювання є найважливішим методом для глибокого розуміння механізмів роботи сонячних елементів та оптимізації структури для різних пристроїв. У цій роботі проведено моделювання пристрою для різних перовскітних сонячних елементів для різних шарів із матеріалу з дірковою провідністю, а саме: TiO2, ZnO, SnO2, PCBM, CdZnS, C60, IGZO, WS2 та CdS, та досліджено вплив ширини забороненої зони на ефективність перетворення енергії пристрою, а також вплив товщини поглинаючого шару. SCAPS 1D (імітатор ємності сонячних елементів) є інструментом, що використовується для чисельного моделювання цього пристрою.

Ключові слова: перовскіт, сонячний елемент, моделювання, SCAPS-1D, ефективність перетворення енергії, матеріал з електронною провідністю, матеріал з дірковою провідністю

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 24 (3)