Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (4), P. 336-344 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.04.336


Природа та кінетика парамагнітних дефектів хітозану, індукованих бета-опроміненням
А.А. Кончиць, Б.Д. Шаніна, І.Б. Янчук, С.В. Красновид Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, 45, проспект Науки, 03680 Київ, Україна

Анотація. Методом ЕПР було досліджено набір зразків хітозану, які були опромінені електронами з різною дозою. В «аморфних» та «кристалічних» зразках хітозану виявлено два види парамагнітних дефектів PC1 та PC2, які були утворені опроміненням через розрив зв’язків у положеннях C5 і C1 хітозанової структури. Структура дефектів, їх спектроскопічні параметри та кінетика накопичення / розпаду були встановлені вперше. Виявлено, що спектр ЕПР «кристалічних» зразків складається майже з 10 еквідистантних ліній надтонкої (НДТ) структури з розщепленням між ними А = 7,4 Гс для центра PC1 і однієї широкої лінії з помітно вираженим g-фактором, який належить PC2. Обидві ці лінії присутні також у порошкових «аморфних» зразках, але НДТ структура центрів PC1 в них не зареєстрована через розширення окремих компонентів НДТ. Виявлено та вивчено кінетику накопичення дефектів з підвищенням D дози опромінення та їх поступове зникнення при тривалому зберіганні зразків в навколишньому середовищі. Кінетичні рівняння були визначені, а залежність D та час розпаду були знайдені у порівнянні теоретичних результатів з експериментальними. Показано, що концентрація мілких та глибоких пасток для електронів впливає на швидкість процесу розпаду. Процес відновлення значно повільний у зразках, що мають більш досконалу кристалічну структуру.

Ключові слова: хітин, хітозан, ЕПР, β-опромінення, надтонке розщеплення.

Текст статті (PDF)


Назад до 21 (4)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.