Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (4), P. 360-364 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.04.360
Тонкі плівки оксиду диспрозію, утворені при швидкому термічному відпалі на пористих підкладках SiC
Ю.Ю. Бачеріков1, Р.В. Конакова1, O.Б. Охріменко1, Н.I. Березовська2, O.С. Літвін3, Л.M. Капітанчук4, A.M. Свєтлічний5
2Київський Національний Університет імені Тараса Шевченка, Фізичний факультет, Київ, Україна
3Київський Національний Університет імені Бориса Гринченка, Київ, Україна
4Інститут електрозварювання імені Євгена Патона НАН України, Київ, Україна
5Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Южный федеральный університет, Таганрог, Россия
Анотація. У цій роботі розглянуто вплив швидкого термічного відпалу (ШТВ) на властивості плівки Dy2O3, що утворюється на поверхні підкладки зі структурою por-SiC/SiC. Атомний склад досліджуваних плівок аналізували як функцію часу ШТВ. Показано, що метод ШТВ дозволяє отримувати тонкі плівки оксиду диспрозію зі складом, близьким до стехіометричного. У цьому випадку збільшення часу ШТВ призводить до поліпшення якості межі поділу плівка-підкладка і до збільшення оптичного пропускання структури Dy2O3/por-SiC/SiC.
Ключові слова: тонкі плівки оксиду диспрозію, швидкий термічний відпал, підкладки SiC, межа поділу, пористий шар.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.