Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (4), P. 365-373 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.04.365
Синергетика нестабільності та випадковості в формуванні ґрадієнту модифікованих напівпровідникових структур
Н.В. Юркович1, * , М.I. Мар'ян1, В. Себен2
2Університет Пресова, вул Новембра 1б 17, Пресов, 08116, Словаччина
Анотація. Визначено критерії формування негомогенної структури, що базується на склоподібних Ge2S3 з модифікантами Al, Bi, Pb, Te, котрі ідентифікуються через зміни в конденсованому середовищі (температура випаровування, швидкість конденсації, збільшення чи зменшення інтенсивності флуктуацій активного поля). В статті аналізуються отримані співвідношення, що описують формування негомогенних аморфних структур та береться до уваги динаміка концентрації модифіканта завдяки джерелу атомного потоку хімічного елемента, структурної неоднорідності (наявність вакансій, мікропор) та дифузії частинок. Проведено комп'ютерне моделювання джерела атомного потоку модифіканта, що робить можливим формування ґрадієнтних структур з передбаченим розподілом хімічного елементу відповідно до товщини плівки. Встановлено морфологію поверхні градієнтної структури та механізм конденсації модифікантів Al, Bi, Pb, Te серед аморфної матриці Ge2S3.
Ключові слова: комп'ютерне моделювання, гетерогенні модифіковані структури, морфологія поверхонь ґрадієнтних структур, не кристалічний стан, самоорганізовані процеси, синергетика.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.