Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (4), P. 387-391 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.04.387
Електричні та діелектричні властивості композитів на основі кристалів твердих розчинів (Ag1–xCux)7GeS5I
В.Ю. Iзай1, В.I. Студеняк1, A.I. Погодін1, I.П. Студеняк1, M. Rajňák2,3, J. Kurimsky3, M. Timko2, P. Kopčanský2
2Institute of Experimental Physics, Slovak Academy of Sciences,
Watsonova 47, 040 01 Košice, Slovakia
3Faculty of Electrical Engineering and Informatics,
Technical University of Košice, Letná 9, 04200 Košice, Slovakia
Анотація. Полімерні композити готували з кристалів твердих розчинів (Ag1-xCux)7GeS5I, вирощених за методом Бріджмена−Стокбаргера. Вимірювання імпедансу проводили при кімнатній температурі в діапазоні частот 10–3–2·106 Гц. Отримано частотні залежності електропровідності та діелектричної проникності для композитів на основі кристалів твердих розчинів (Ag1–xCux)7GeS5I. Проаналізовано діаграми Найквіста для композитів на основі (Ag1–xCux)7GeS5I. Досліджено вплив катіонного заміщення Ag → Cu на електропровідність композитів на основі кристалів твердих розчинів (Ag1–xCux)7GeS5I.
KКлючові слова: тверді розчини, композити, катіонне заміщення, імпедансметрія, електропровідність, діелектрична проникність.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.