Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (4), P. 397-401 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.04.397
Вплив домішок Li-TCNQ на діелектричні властивості планарно орієнтованого нематичного рідкого кристала
В.Е. Вовк1, О.В. Ковальчук1, 2, 3, Т.М. Ковальчук4
2Київский Національний Університет технологій та дизайну,
2, вул. Немировича-Данченка, 01011 Київ, Україна
3Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», 37, проспект Перемоги, 03056 Київ, Україна
4Інститут фізики напівпровідників ім. Лашкарьова НАН України,
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
Анотація. У діапазоні частот 10–1–106 Hz та температур 298–343 K досліджено діелектричні властивості планарно орієнтованого нематичного рідкого кристала E25M з домішками Li-TCNQ. Концентрація домішок змінювалась у межах 0–0,1 мас.%. Показано, що наявність невеликої домішки Li-TCNQ у рідкому кристалі збільшує електропровідність, впливає на значення енергії активації провідності в нематичній фазі і майже не змінює енергію активації в ізотропній фазі. Оцінено часи діелектричної релаксації τ для низькочастотної ділянки спектра компонент комплексної діелектричної проникності. Показано що в межах існування фази рідкого кристала температурна залежність τ–1 лінійно залежить від оберненої величини температури в арреніусівських координатах і добре узгоджується з температурною залежністю провідності.
Ключові слова: діелектрична спектроскопія, нематичні рідкі кристали, Li-TCNQ.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.