Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (4), P. 407-411 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.04.407
Вплив наночастинок cуперіонного провідника Сu7GeS5I на діелектричні властивості планарно орієнтованого нематичного рідкого кристала 6СВ
О.В. Ковальчук1, 2, 3, M.M. Лучинець4, I.П. Студеняк4, M. Timko5, P. Kopčanský5, Т.М. Ковальчук6
2Київский Національний Університет технологій та дизайну,
2, вул. Немировича-Данченка, 01011 Київ, Україна
3Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», 37, проспект Перемоги, 03056 Київ, Україна
4Ужгородський Національний Університет, Фізичний факультет
3, Народна пл., 88000 Ужгород, Україна
5Institute of Experimental Physics, Slovak Academy of Sciences,
Watsonova 47, 040 01 Košice, Slovakia
6Інститут фізики напівпровідників ім. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
Анотація. У діапазоні частот 6–106 Гц та температурі 293 K досліджено вплив наночастинок Сu7GeS5I на діелектричні властивості планарно орієнтованого рідкого кристала 6СВ. Концентрація наночастинок змінювалась в межах 0-0,1 мас.%. Показано, наночастинки Сu7GeS5I значно менше збільшують провідність рідкого кристала (лише в 1,3 раза при максимальній концентраціях наночастинок), ніж наночастинки Сu7PS6, вплив яких раніше нами був досліджений на провідність того ж самого рідкого кристала (збільшення провідності у 24 рази при тій же концентрації наночастинок). Зроблено припущення, що основним механізмом зміни провідності при введенні наночастинок Сu7GeS5I є перенос заряду крізь наночастинки. Такий механізм переносу заряду характеризується досить сильною залежністю провідності рідкого кристала від частоти і експериментально спостерігається особливо при максимальній концентрації наночастинок.
Ключові слова: наночастинки, cуперіонний провідник, діелектричні властивості, планарно орієнтований рідкий кристал, провідність, концентрація.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.