Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (4), P. 397-403(2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.04.397
Механізми проведення зворотного струму витоку діодів Шотткі на основі β-Ga2O3
A. Latreche
Анотація. Для визначення температурної залежності напруги зворотного переходу між механізмами термоіонної емісії та тунелювання застосовано чисельний метод для діодів Шотткі на основі β-Ga2O3. Основна ідея цього методу ґрунтується на перетині кривих I–V процесів термоіонної емісії та тунелювання. Напруга зворотного переходу зростає при низьких і високих температурах, у той час як при середніх температурах вона зменшується. Це означає, що несподіваний пік при стані Падовані–Страттона спостерігається за низьких температур. Напруга зворотного переходу збільшується лінійно зі збільшенням висоти бар’єра та зворотної концентрації легування. Запропоновано аналітичну модель для прогнозування залежності напруги зворотного переходу від температури, концентрації легування та висоти бар’єра для діодів Шотткі на основі β-Ga2O3. Ця модель добре перевірена на експериментальних даних напруги зворотного переходу, раніше опублікованих у літературі для діодів Шотткі на основі β-Ga2O3.
Ключові слова: β-Ga2O3, напруга зворотного переходу, термоіонна емісія, тунельний струм, діод Шотткі, зменшення сили зображення бар’єра.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.