Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (4), P. 339-345 (2020).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo23.04.339

Особливості перенесення току в структурі Al–Al2O3–p-CdTe–Mo
A.K. Uteniyazov1*, A.Yu. Leyderman2, R.A. Ayukhanov2, E.S. Esenbaeva3, M.V. Gafurova4

1Karakalpak State University, Nukus, Uzbekistan
2Physical-Technical Institute SPA “Physics–Sun” named after S.A. Azimov, Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan 3Nukus branch of the Tashkent University of Information Technology, Nukus, Uzbekistan
4Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan
*E-mail: abat-62@mail.ru

Анотація. Наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик структури Al–Al2O3–p-CdTe–Mo у прямому напрямку струму в темряві та при освітленні. Ці характеристики мають чотири ділянки степеневої залежності струму від напруги у вигляді J ~ Vα. Показано, що структуру Al–Al2O3–p-CdTe–Mo можна розглядати як структуру n+-p діода з довгою базою, в якій процеси токоперенесення описуються дрейфовою моделлю омічної релаксації за умови рекомбінації рівноважних носіїв, що відбувається через парний дворівневий рекомбінаційний комплекс.

Ключові слова: інжекція, парний дворівневий рекомбінаційний комплекс, швидке збільшення струму.

Текст статті (PDF)


Назад до 23 (4)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.