¹Yeoju Institute of Technology (Yeoju University),
338, Sejong-ro, Yeoju-eup, Yeoju-gun, Gyeonggi-do, 469-705 Korea,
E-mail: businkaa@mail.ru or svitlanavlaskina1949@gmail.com
²Київський національний університет імені Тараса Шевченка, 64, вул. Володимирська, 01033 Київ, Україна
³Seoul National University SNUSD, 101 Daehak-ro, Jongno-gu, Seoul 03080, Korea
⁴4Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, 41, просп. Науки, 03680 Київ, Україна
⁵Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» 37, просп. Перемоги, 03056 Київ, Україна

Анотація. Плазмове посилене хімічне осадження пари, реактивне магнетронне розпилення, хімічне осадження з гарячим дротом та посилене хімічне випаровування радіочастотною плазмою використовувались для розробки технології підготовки нанобіопокриття з карбіду кремнію з керамічних матеріалів для стоматологічних застосувань. Визнано вплив напруги зміщення, що застосовується до керамічних протезів та зубних коронок, на процеси кристалізації. Оптимальна напруга зміщення, яка подається на провідну підкладку, становила – 200 В, тоді як для діелектричної основи напруга зміщення Vbias не впливала на властивості покриття SiC. Використовували аналіз вольт-амперних характеристик та спектроскопічну діагностику як методи вивчення механізму міжфазних перебудов для дослідження фазового переходу SiC у нанокристалічних покриттях з карбіду кремнію. Провідність покриття SiC збіглася з провідністю на діелектрику (µn₀ = 10¹²…10¹³ сm^–1·s^–1·V^–1). Провідна підкладка мала значний вплив на властивості покриття і це залежало від напруги зміщення Vbias. Провідність зросла на три-чотири порядки величини (µn₀ = 3·10¹⁷ сm^–1·s^–1·V^–1), якщо напруга зміщення V_bias = –200 В. Збільшення напруги зміщення (Vbias = –600 В) призвело до зменшення провідності (µn⁰ = 3·10¹⁷ сm^–1·s^–1·V^–1). Встановлено, що в цій структурі існував режим подвійного введення з бімолекулярною рекомбінацією із залежністю I = V^3/2 для вольт-амперних характеристик SiC. Спектр люмінесценції покриття SiC на недіелектричній кераміці (якщо V_bias = –200 В під час осадження) суттєво відрізнявся від спектра люмінесценції покриття SiC на діелектричній кераміці. Збільшення прикладеної напруги до підкладки V_bias під час осадження призвело до збільшення частки гексагональних політипів. Напрямки в кристалічній решітці за спектрами фотолюмінесценції були визначені із порівняння значень ширини нефононних частин розломів укладання та спектрів глибинного рівня в низькотемпературній фотолюмінесценції з розташуванням атомів у структурі решітки SiC. Зміщення кожного атома фотолюмінесценції, що брав участь, дозволило зробити кореляцію в технології осадження SiC та розробити технологію покриття SiC на стоматологічних матеріалах.

Ключові слова: карбід кремнію, карбід нанокремнію, кераміка на біологічній основі, вольт-амперна характеристика, фотолюмінесценція, стоматологічне застосування.

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 23 (4)