Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (4), P. 361-365 (2020).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo23.04.361


Вплив електрично нейтральних атомів нікелю на електричні та рекомбінаційні параметри кремнію
M.K. Bakhadyrkhanov1, B.K. Ismaylov2, S.A. Tachilin1, K.A. Ismailov2, N.F. Zikrillaev1

1Tashkent State Technical University
100095, Uzbekistan, Tashkent, Universitetskaya str. 2,
E-mail: bahazeb@yandex.com
2Karakalpak State University named after Berdakh, Uzbekistan
230112, KAR, Nukus, Ch. Abdirov str., 1
E-mail: i.bairam@bk.ru

Анотація. За результатами цього дослідження показано, що створення кластерів з домішкових атомів нікелю майже повністю пригнічує генерацію теплових донорів у діапазоні температур 450–1200 °C. Склад цих клас-терів визначали за допомогою методу енергетично-дисперсійної рентгенівської спектроскопії. Виявлено, що типовий кластер складається з атомів кремнію (65%), нікелю (15%) та кисню (19%). На основі експеримен-тальних результатів автори припустили, що атоми нікелю інтенсивно виконують роль геттера для атомів кисню в процесі кластеризації. Показано, що додаткове легування кремнію нікелем при Т = 1100–1200 °С дозволяє забезпечити досить високу термостабільність його електричних параметрів у широкому діапазоні температур.

Ключові слова: кластери атомів нікелю, час життя, дифузія, теплові донори, термостійкість, електричні параметри, геттерінг.

Текст статті (PDF)


Назад до 23 (4)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.