Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (1), P. 010-018 (2022).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.01.010


Вільний пробіг та темп генерації швидкого електрона, що взаємодіє з діелектричним середовищем
М.Є. Єлісєєв

Taras Shevchenko Kyiv National University, 64, Volodymyrska str., 01601 Kyiv, Ukraine
E-mail: mykola.eliseev@gmail.com

Анотація. У рамках підходу макроскопічного неперервного середовища досліджено взаємодію між швидкою зарядженою частинкою та діелектричним або напівпровідниковим середовищем з низькоенергетичними електронно-активними збудженнями. Ці збудження є причиною частотної дисперсії діелектричної проникності середовища. Розглянуто два типи процесів, викликаних рухомою зарядженою частинкою: генерація електронно- діркових пар при міжзонних переходах та збудження полярних оптичних фононів. Для обох процесів ми розрахували та проаналізували залежність від часу та простору електричного потенціалу, який генерує заряджена частинка, поляризацію середовища, втрати енергії частинкою та інші важливі параметри моделей взаємодії. Отримані результати можуть сприяти глибшому розумінню взаємодії пучків заряджених частинок з напівпровідниковим середовищем, а також можуть бути корисними для різноманітних практичних застосувань заряджених пучків.

Ключові слова: шлях вільного пробігу, генерація електронно-діркових пар, оптичні фонони, міжзонні переходи, електронні пучки.

Текст статті (PDF)


Назад до 25 (1)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.