Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (2), P. 193-200(2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.02.193
Вплив параметрів омічного контакту на властивості мікрохвильових лавинно-пролітних діодів
Я.Я. Кудрик, В.С. Сліпокуров
Анотація. Подано огляд структур мікрохвильових лавинно-пролітних діодів (ЛПД), розглянуто структуру ЛПД з різким p-n переходом на основі Si та функції омічних контактів. Сформульовано фізико-технічні вимоги до контактів, виходячи з їх функціонального призначення та наявної технологічної бази. Зроблено огляд існуючих омічних контактів та їх ранжирування з точки зору придатності та перспективності використання в ЛПД. Вибрано структуру металізації для ЛПД з урахуванням специфіки роботи ЛПД.
Ключові слова: лавинно-пролітний діод, омічний контакт, температура відпалу, механізм струмоперенесення.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.