Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 23 (2), P. 141-145(2020).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo23.02.141
Вплив різних параметрів на рухливість носіїв у нанодротовому польовому транзисторі (NWFET)
1Faculté des Sciences et de la Technologie, Département des sciences de la matière,
Université Mohamed Chérif Messaadia de Souk-Ahras, Algeria
Анотація. У роботі вивчено вплив різних параметрів на рухливість носіїв у пристроях з нанодротовим польовим транзистором (NWFET). Їх характеристики досліджено методом нерівноважних функцій Гріна. Робота передбачає рухливість носіїв µ як функцію VDS, що набуває значень від 0,1 до 1 В для різної довжини затвора, а саме: 10, 20, 30, 40 та 50 нм. Тоді зміни µ як функції ширини нанодроту варіювались від 2 до 6 нм. Після цього µ змодельовано як функцію товщини оксиду зі значеннями 2, 4 та 6 нм. Більше того, рухливість вважається залежною від складу high-k матеріалів, а саме: SiO2, HfO2, ZrO2. Наші результати наочно показують, що характеристики пристрою можна покращити шляхом вибору геометричних та фізичних параметрів.
Ключові слова: нанотранзистор, нанодротовий польовий транзистор (NWFET), рухливість, метод нерівноважних функцій Гріна.
R. Marki1, M. Zaabat2
2Institut de physique, Université de Oum El Bouaghi, Algeria
*Corresponding author e-mail: m_rebiha@hotmail.fr
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.